半导体晶圆制造过程中三种常见缺陷

半导体晶圆制造过程中三种常见缺陷

时间:2020-9-28 编辑:荧鸿科技

在半导体晶圆制作中,拉单晶、切片、磨片、抛光、增层、光刻、掺杂、热处理、针测以及划片……一系列过程中,化学气相沉淀、光学显影、化学机械研磨都是这一过程中可能使晶圆表面产生缺陷。

在晶圆片的缺陷种类中,无图案晶圆与图案晶圆是最常见的两种晶圆形式。晶圆表面冗余物、晶体缺陷、机械损伤(划痕图案)是较为常见缺陷。冗余物是晶圆表面较为常见的缺陷种类,主要包括纳米级的微小颗粒、微米级的灰尘、相关工序的残留物。

在晶圆表面缺陷中,晶体缺陷也是一种较为常见的缺陷形式。所谓晶圆表面的警惕缺陷,也被称为滑移线缺陷,这种缺陷的产生往往是由于晶体生长时加热不均所造成的,相较于其它晶圆表面缺陷,晶圆表面的晶体缺陷由于自身特征较为明显。

在晶圆表面缺陷中,机械损伤同样是较为常见的晶圆表面缺陷种类之一,这种缺陷一般产生于晶圆制造过程中抛光、切片等步骤中,由化学机械研磨所致,是一种较为严重的晶圆表面缺陷,能够对集成电路芯片造成极为严重的影响。值得庆幸的是,晶圆表面的机械损伤缺陷可以进行纠正。

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